BSC118N10NS G 全国供应商、价格、PDF资料
BSC118N10NS G详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
- 系列：OptiMOS™
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：71A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11.8 毫欧 @ 50A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 70µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：3700pF @ 50V
- 功率_最大：114W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
- 供应商设备封装：PG-TDSON-8（5.15x6.15）
- 包装：带卷 (TR)
- 薄膜 AVX Corporation 径向 CAP FILM 0.47UF 63VDC RADIAL
- 电容器 EPCOS Inc 1000UF 25V 16X30 AXIAL
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SOLDER PIN 560UF 420V
- 单二极管/整流器 Fairchild Semiconductor DO-204AH，DO-35，轴向 DIODE GEN PURP 120V 200MA DO-35
- 芯片电阻 - 表面安装 TE Connectivity 0402（1005 公制） RES 10.7K OHM 1/16W 0.1% 0402
- 矩形 CW Industries 0402（1005 公制） IDC CABLE - CKC20G/AE20G/CCE20G
- FET - 单 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
- 薄膜 AVX Corporation 径向 CAP FILM 0.56UF 63VDC RADIAL
- 单二极管/整流器 Fairchild Semiconductor DO-204AH，DO-35，轴向 DIODE GEN PURP 120V 200MA DO-35
- 电容器 EPCOS Inc 1200UF 40V 20X29 AXIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 TE Connectivity 0603（1608 公制） RES 4.75K OHM 1/16W 0.1% 0603
- 矩形 CW Industries 0603（1608 公制） IDC CABLE - CKC40G/AE40M/CCE40G
- 薄膜 AVX Corporation 径向 CAP FILM 0.56UF 63VDC RADIAL
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SOLDER PIN 680UF 400V
- FET - 单 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
0755-82795565 
15813737183 
0755-83223003 
0755-82710336 
18934572989 
15112667855 
0755-83777708 
0755-82785677 
0755-83015506 
0755-82522939 
0755-/8321846 
028-87781882 
17324435169 
